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MB芯片的定義和特性
定義：金屬鍵是一種專(zhuān)有的UEC芯片。
特點(diǎn):以高散熱系數(shù)材料-Si為基材，容易散熱。外延層和襯底通過(guò)金屬層組合，光子被反射以避免襯底的吸收。導(dǎo)電Si襯底代替GaAs襯底，導(dǎo)熱性好(導(dǎo)熱差3~4倍)，更適合高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。底部的金屬反射層有利于增強(qiáng)亮度和散熱?？梢栽黾痈吖β蕡?chǎng)的大小，比如42milMB。
GB芯片的定義和特性
定義：UEC專(zhuān)li的膠接芯片。
特點(diǎn):透明藍(lán)寶石襯底取代了可吸收GaAs襯底，光輸出功率是傳統(tǒng)AS(可吸收結(jié)構(gòu))芯片的兩倍多。藍(lán)寶石襯底類(lèi)似于TS芯片的GaP襯底。芯片從四個(gè)側(cè)面照明，圖案極佳。亮度方面，其整體亮度超過(guò)TS芯片水平(8.6)mil）。雙電極結(jié)構(gòu)，其高電流電阻略低于TS單電極芯片。
定義和特征TS芯片
定義：透明結(jié)構(gòu)芯片，惠普專(zhuān)有產(chǎn)品。
特性：芯片工藝復(fù)雜，遠(yuǎn)高于ASLED?？煽啃院?。透明GaP襯底，不吸光，亮度高。應(yīng)用廣泛。
定義和特征AS芯片
定義:可吸收結(jié)構(gòu)芯片。經(jīng)過(guò)近40年的發(fā)展努力，臺(tái)灣省LED光電行業(yè)這類(lèi)芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售都處于成熟階段。可吸收結(jié)構(gòu)與可吸收結(jié)構(gòu)芯片的研發(fā)水平基本持平，差距不大。
中國(guó)大陸的芯片制造業(yè)起步較晚，臺(tái)灣省的芯片制造業(yè)在亮度和可靠性上還存在一定差距。在這里，我們討論AS芯片，具體指UEC的AS芯片，比如712SOL。-VR、709SOL-VR，712SYM-VR、709SYM-VR等。
特性：采用MOVPE工藝制造的四元件芯片，亮度比傳統(tǒng)芯片要高?？煽啃院?。應(yīng)用廣泛。